共轭分子推拉电子基团间桥键含氮量变化对电存储器件性能影响研究

共轭分子推拉电子基团间桥键含氮量变化对电存储器件性能影响研究

作者:师大云端图书馆 时间:2021-06-30 分类:参考文献 喜欢:1837
师大云端图书馆

【摘要】随着当今信息技术的快速发展,飞速增长的高容量信息存储需求和相对滞后的信息技术之间产生了巨大的矛盾,基于磁存储和光存储的存储密度已经接近物理极限,很难进一步取得大容量信息存储上的突破。因此科学家正在致力于寻找新的材料用于信息存储领域。有机电存储材料因具有易加工、低成本、低功耗、结构丰富等优点,可潜在应用于未来的信息存储。本文主要研究有机共轭分子推拉电子间桥键的改变以及桥键中含氮量的变化对电存储器件性能变化的影响规律,具体如下:(1)电子供体和受体间桥键改变对电存储性能研究:设计合成了小分子CAPyNA和SNACA,研究电子供体咔唑和受体萘酰亚胺之间桥键由腙式结构变成线性的吡啶二乙炔基对材料存储性能的影响。通过理论计算发现两分子的HOMO和LUMO轨道的表面电荷密度分布呈现明显的变化,这种变化推测是会导致两个分子呈现出不同的存储类型的关键,通过实验结果发现也验证了这个事实。这说明了通过理论计算可以预测材料的性能。这种通过给受电子基团间桥键的调节实现存储器件性能的调控,为后续电存储材料的设计合成提供了新思路。(2)电子供体和受体间桥键含氮量对电存储性能的研究:设计合成了三个有机小分子CAPhNI,CAPyNI和CAPmNI,它们桥键中的氮原子依次为0,1和2个,研究了小分子桥键中的氮原子含量对分子成膜性以及电存储性能的影响。通过XRD测试发现,CAPyNI和CAPmNI在薄膜中的堆积优于CAPhNI,且CAPyNI的堆积距离小于CAPmNI。通过AFM研究发现,随着桥键氮原子含量的增加,分子的成膜性依次变好,薄膜表面粗糙度依次降低。通过对I–V性能的测试发现,CAPhNI为二进制的WORM型存储,而CAPyNI和CAPmNI为三进制的WORM型存储,且CAPyNI的ON1态开启电压要比CAPmNI的ON1态开启电压小。以上结果表明,改变分子中桥键的含氮量对分子的成膜性以及电存储性能有着重要的影响,这为今后改变成膜性以及获取高性能电存储性能提供了切实可行的方法。(3)桥键中吡啶基团对存储性能作用的研究:设计合成了小分子CAPyNa,CAPyNI和CAPyNA,三个分子的桥键中均含有吡啶基团,研究吡啶基团对存储性能的作用。发现吡啶在强吸电子基团的存在下未充当电荷陷阱,不能参与到存储机制中,以上经验为我们在今后设计含有多个吸电子基团时对电存储性能的影响提供了良好的帮助。
【作者】王刚;
【导师】路建美;
【作者基本信息】苏州大学,有机化学,2014,硕士
【关键词】桥键;电存储;有机小分子;WORM;

【参考文献】
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